Последние новости

Может ли РФ защитить памятники с…

Очередной акт вандализма …

Бывший генпрокурор СССР Александ…

Александр Сухарев, бывший…

Президент Армении обсудил с пред…

Москва, 7 марта - АиФ-Мос…

Медальный зачет ЧЕ по легкой атл…

В польском Торуни стартов…

UFC 259: Ян проиграл титул, Блах…

Представляем результаты т…

«
»

Micron начала выпускать оперативную память по рекордно плотному техпроцессу 1α

  • Автор:

Вскоре в продаже появится оперативная память DDR4 DRAM для ПК, произведённая по самому совершенному на сегодня техпроцессу, который компания Micron называет 1α (альфа). Выпуском 8-Гбит и 16-Гбит чипов DDR4 с помощью техпроцесса 1α занялась одна из тайваньских фабрик компании. Новинка обещает увеличить плотность размещения ячеек памяти (уменьшить размер кристалла), снизить потребление энергии и увеличить пропускную способность — всё, как мы любим.

Источник изображения: Micron

Начиная с 30-нм техпроцесса производители памяти перестали указывать точные технологические нормы изготовления чипов. На свет появились обозначения классов: 20-нм и 10-нм класса, в пределах которых производители памяти выпускали микросхемы с технологическими нормами от 28 нм до 13 нм. Если дело касалось чипов 10-нм класса, то в ход шли обозначения 1x, 1y и 1z. По слухам, компания Micron смогла освоить самый мелкий геометрический размер при производстве памяти и её техпроцесс 1z соответствовал 13-нм технологическим нормам.

Но латинский алфавит закончился, а 10-нм класс продуктов ещё нет. Теперь компания осваивает греческий. Сегодня она сообщила о начале массового производства памяти с использованием техпроцесса 1α. Как сообщает нам пресс-релиз, плотность размещения ячеек памяти выросла на 40 %, что означает ещё один шаг вниз по шкале снижения технологических норм, хотя точных цифр Micron снова не даёт.

Источник изображения: Micron

Примечательно, что память на основе техпроцесса 1α компания снова выпускает с использованием классического 193-нм DUV-лазера с помощью иммерсионной литографии (использование жидкости между оптикой и кристаллом), для чего требуется четыре проекции на каждый критически важный слой. До перехода на сканеры EUV с длиной волны 13,5 нм будет освоен выпуск, как минимум, ещё одного поколения памяти под кодовым именем 1β (бета). Использование сканеров DUV обходится дороже с точки зрения себестоимости, но первичные затраты на сканеры EUV и сопутствующие расходы были бы колоссальными. Время EUV для Micron ещё не пришло.

«Наша новая технология DRAM 1α позволит использовать мобильные DRAM с наименьшим энергопотреблением в отрасли, а также принесёт преимущества нашего портфеля DRAM для центров обработки данных, клиентов, потребителей, промышленных и автомобильных клиентов», — сказал Сумит Садана (Sumit Sadana), исполнительный вице-президент и главный коммерческий директор Micron.

Источник изображения: Micron

В этом году с помощью техпроцесса 1α компания начнёт выпускать весь спектр продуктов памяти, от мобильных приложений до ЦОД. Это будет память для компьютеров, видеокарт, смартфонов, умных автомобилей и многих других применений. В частности, Micron приступила к поставкам образцов чипов LPDDR4, выпущенных с использованием техпроцесса 1α. Новый техпроцесс позволил на 15 % снизить потребление памяти без снижения её производительности — что с интересом будет встречено на рынке смартфонов 5G. Больше продуктов на основе техпроцесса 1α компания обещает представить в течение этого года.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

Материалы по теме

(Понравилась новость — поделитесь в соцсетях!?)

Понравился сайт или статья? Поделитесь с друзьями:))

Похожие записи:

  • Нет похожих записей

О сайте

Ежедневный информационный сайт последних и актуальных новостей.

Комментарии

Посетители

Понравилась публикация?Отлично, поделитесь с друзьями :)